MODULO IGBT BSM75GD120DLC INFINEON

Fabricante: Infineon

Categoria de produto: Módulos IGBT

RoHS: Detalhes

Produto: Módulos de silício IGBT

Configuração: Ponte Completa

Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1,2kV

Tensão de saturação do coletor - emissor: 2,1 V

Corrente contínua do coletor a 25ºC: 125A

Corrente de dispersão do gate - emissor: 400 nA

Pd - Dissipação de potência: 500W

Caixa / Gabinete: Economia 3

Temperatura operacional mínima: - 40ºC

Temperatura operacional máxima: + 125ºC

Embalagem: Bandeja

Marca: Tecnologias Infineon

Altura: 17mm

Comprimento: 121,5 milímetros

Tensão do emissor do gate máxima: 20 V

Estilo de montagem: Montagem em chassi

Tipo de Produto: Módulos IGBT