MODULO IGBT BSM200GB120DN2 INFINEON

Fabricante:Infineon

Categoria de Produto:Módulos IGBT

RoHS: Detalhes

Produtos:Módulos de Silício IGBT

Configuração:meia ponte

Tensão do Coletor-Emissor VCEO Max:1200 V

Tensão de saturação coletor-emissor:2,5 V

Corrente Contínua do Coletor a 25 C:290 A

Corrente de fuga do emissor-portão:400 nA

Pd - Dissipação de Potência:1,4 kW

Pacote / Estojo:Meia Ponte2

Temperatura Mínima de Operação:- 40ºC

Temperatura Máxima de Operação:+ 150ºC

Embalagem:Bandeja

Marca:Tecnologias Infineon

Altura:30 milímetros

Comprimento:106,4 milímetros

Tensão Máxima do Emissor da Porta:20 V

Estilo de montagem:Montagem do chassi

Tipo de Produto:Módulos IGBT

Subcategoria:IGBTs

Tecnologia:Si

Largura: 61,4 milímetros