MODULO IGBT BSM100GD120DN2 INFINEON

Fabricante:Infineon

Categoria de Produto:Módulos IGBT

RoHS: Detalhes

Produtos:Módulos de Silício IGBT

Configuração:Hex

Tensão do Coletor-Emissor VCEO Max:1200 V

Tensão de saturação coletor-emissor:2,5 V

Corrente Contínua do Coletor a 25 C:150A

Corrente de fuga do emissor-portão:400 nA

Pd - Dissipação de Potência:680 W

Pacote / Estojo:EconoPACK 3A

Temperatura Mínima de Operação:- 40ºC

Temperatura Máxima de Operação:+ 150ºC

Embalagem:Bandeja

Marca:Tecnologias Infineon

Altura:17 milímetros

Comprimento:122 milímetros

Tensão Máxima do Emissor da Porta:20 V

Estilo de montagem:Montagem do chassi

Tipo de Produto:Módulos IGBT

Subcategoria:IGBTs

Tecnologia:Si

Largura: 62 milímetros