TRANSISTOR MOSFET SMD 7309 | SI7309DN-T1-E3 VISHAY

Fabricante: Vishay

Categoria de Produto: MOSFET

RoHS: Detalhes

Tecnologia: Si

Estilo de montagem: SMD/SMT

Pacote/Caso: PowerPAK-1212-8

Polaridade do transistor: Canal P

Número de canais: 1 canal

Vds - Tensão de Ruptura Dreno-Fonte: 60 V

Id - Corrente de drenagem contínua: 8A

Rds On - Resistência Fonte de Dreno: 146 mOhms

Vgs - Tensão Porta-Fonte: - 20 V, + 20 V

Vgs th - Tensão limite da porta-fonte: 3V

Qg - Carga do Portão: 22 nC

Temperatura Mínima de Operação: - 55ºC

Temperatura máxima de operação: + 150ºC

Pd - Dissipação de Potência: 19,8 W

Modo de canal: Aprimoramento

Nome comercial: TrenchFET

Series: SI7

Embalagem: Carretel

Embalagem: Fita cortada

Embalagem: MouseReel

Marca: Vishay Semicondutores

Configuração: Solteiro

Altura: 1,04 mm

Comprimento: 3,3mm

Tipo de Produto: MOSFET

Subcategoria: MOSFETs

Largura: 3,3mm

Parte # Aliases: SI7309DN-E3