TRANSISTOR MJW21194 | MJW21194G ON SEMICONDUCTOR

Fabricante: On Semiconductor

Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT

RoHS: Detalhes

Estilo de montagem: Através do orifício

Caixa / Gabinete: PARA-247-3

Polaridade do transistor: NPN

Configuração: Solteiro

Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 250V

Coletor VCBO de voltagem básica: 400V

Emissor - VEBO de tensão de base: 5V

Tensão de saturação do coletor - emissor: 1,4V

Corrente do coletor DC máxima: 16A

Pd - Dissipação de potência: 200W

Produto fT da largura de banda de ganho: 4MHz

Temperatura operacional mínima: - 65ºC

Temperatura operacional máxima: + 150ºC

Série: MJW21194

Tensão do coletor contínua: 16A

Coletor DC/Ganho base hfe Min: 20

hFE máx. de ganho de corrente DC: 80

Altura: 21,08 milímetros

Comprimento: 16,26mm

Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares