TRANSISTOR STY60NM60 ST MICROELECTRONICS

Fabricante: STMicroelectronics 
Categoria de Produto: MOSFET 
RoHS:  Detalhes  
Tecnologia: Si 
Encapsulamento: Max247-3 
Número de canais: 1 canal 
Polaridade do Transistor: Canal n 
Vds - Tensão de ruptura dreno-fonte: 600 V 
Id - Corrente de Drenagem Contínua: 60 A 
Rds On - Resistência da fonte de dreno: 50 mOhms 
Vgs - Voltagem Gate-Source: 30 V 
Temperatura operacional mínima: - 65 C 
Temperatura máxima de operação: + 150 C 
Pd - Dissipação de Energia: 560 W 
Altura: 20,3 mm  
Comprimento: 15,9 mm  
Series: STY60NM60  
Tipo de transistor: 1 canal n  
Tipo: MOSFET  
Largura: 5,3 mm  
Marca: STMicroelectronics