TRANSISTOR IRF520 TO220 STMICROELECTRONICS

Fabricante: STMicroelectronics 

Categoria de Produto: MOSFET 

RoHS:  Detalhes  

Tecnologia: Si 

Encapsulamento: TO-220-3 

Número de canais: 1 canal 

Polaridade do Transistor: Canal n 

Vds - Tensão de ruptura dreno-fonte: 100 V 

Id - Corrente de Drenagem Contínua: 10 A 

Rds On - Resistência da fonte de dreno: 270 mOhms 

Vgs - Voltagem Gate-Source: 20 V 

Temperatura operacional: - 55 C ~ + 175 C 

Pd - Dissipação de Energia: 60 W 

Series: IRF520