MODULO IGBT APTGT50TDU60PG MICROCHIP_MICROSEMI
Fabricante: Microchip_Microsemi
Categoria de Produto: Módulos IGBT
RoHS: Detalhes
Produtos: Módulos de silício IGBT
Configuração: Fonte comum dupla tripla
Coletor - Emissor Voltagem VCEO Max: 600 V
Tensão de Saturação Coletor-Emissor: 1,5 V
Corrente Contínua de Coletor a 25 ° C: 80 A
Corrente do escapamento do Gate-Emitter: 600 nA
Pd - Dissipação de Energia: 176 W
Encapsulamento: SP6-P
Temperatura operacional: - 40 ºC ~ + 100 ºC
Tensão máxima do emissor da porta: 20 V
Tipo de Produto: Módulos IGBT