MODULO TRANSISTOR IGBT IXGY2N120 TO252 IXYS

Fabricante: IXYS 
Categoria de Produto: Transistores IGBT 
Encapsulamento: TO-252-3 
Estilo de montagem: SMD / SMT 
Coletor - Emissor Voltagem VCEO Max: 1200 V 
Tensão de Saturação Coletor-Emissor: 3 V 
Tensão máxima do emissor da porta: 20 V 
Temperatura operacional mínima: - 55 C 
Temperatura máxima de operação: + 150 C 
Series: IXGY2N120 
Corrente Contínua do Coletor Ic Max: 5 A  
Altura: 2,38 mm  
Comprimento: 6,73 mm  
Largura: 6,22 mm  
Marca: IXYS  
Corrente Contínua de Coletor: 5 A